Diodes Incorporated DMN2013UFDEQ-7

工厂交货时间

14 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerUDFN

供应商器件包装

U-DFN2020-6 (Type E)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

DMN2013UFDEQ-7

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Part Package Code

DFN

Package Description

GREEN, PLASTIC, U-DFN2020-6, 6 PIN

Risk Rank

5.63

Drain Current-Max (ID)

10.5 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

CHIP CARRIER

Reflow Temperature-Max (s)

30

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Brand

Diodes Incorporated

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

厂商

Diodes Incorporated

Power Dissipation (Max)

660mW (Ta)

Product Status

活跃

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 8.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2453 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25.8 nC @ 8 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±8V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.013 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.03 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET