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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.343676
10
¥8.81479
100
¥8.315838
500
¥7.845132
1000
¥7.401064
Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-7
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- 对比
DMN3008SFGQ-7
671-DMN3008SFGQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3008SFGQ-7详情
Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17.6A Ta 62A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
900mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.4m Ω @ 13.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3690pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
62A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.0055Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3008SFGQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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