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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.369656
10
¥6.009109
100
¥5.668972
500
¥5.348084
1000
¥5.045364
Diodes Incorporated DMN3010LFG-13
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- 对比
DMN3010LFG-13
671-DMN3010LFG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3010LFG-13详情
Diodes Incorporated DMN3010LFG-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Power Dissipation (Max)
900mW Ta
Turn Off Delay Time
31 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta 30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
已出版
2015
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
接通延迟时间
4.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 18A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2075pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37nC @ 10V
上升时间
19.6ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10.7 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3010LFG-13拓展信息
Diodes Incorporated
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