Diodes Incorporated DMN3112SQ-7

工厂交货时间

15 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

DMN3112SQ-7

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.75

Drain Current-Max (ID)

5.8 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Brand

Diodes Incorporated

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Diodes Incorporated

Power Dissipation (Max)

1.4W (Ta)

Product Status

活跃

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

57mOhm @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

268 pF @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.057 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.4 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET