Diodes Incorporated DMN33D8LV-13
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DMN33D8LV-13
671-DMN33D8LV-13
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor
1最小包装量--
DMN33D8LV-13详情
Diodes Incorporated DMN33D8LV-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Drain Current-Max (ID)
0.35 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
3 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.43 W
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
DMN33D8LV-13拓展信息
Diodes Incorporated
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Diodes
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