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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.149487
10
¥2.971216
100
¥2.803035
500
¥2.644372
1000
¥2.494691
Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B
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- 对比
DMN3730UFB4-7B
671-DMN3730UFB4-7B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3730UFB4-7B详情
Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
750mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
470mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
460m Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
64.3pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.75A
漏极-源极导通最大电阻
0.46Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3730UFB4-7B拓展信息
Diodes Incorporated
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