Diodes Incorporated DMN4027SSS-13
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DMN4027SSS-13
671-DMN4027SSS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 6.1A/- 8A
--最小包装量--
DMN4027SSS-13详情
Diodes Incorporated DMN4027SSS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.56W Ta
Turn Off Delay Time
15.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.8W
接通延迟时间
3.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
604pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.9nC @ 10V
上升时间
3.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7.5 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
40V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN4027SSS-13拓展信息
Diodes Incorporated
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