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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.675291
10
¥2.523858
100
¥2.381001
500
¥2.246229
1000
¥2.119081
Diodes Incorporated DMN5L06KQ-7
- 收藏
- 对比
DMN5L06KQ-7
671-DMN5L06KQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN5L06KQ-7详情
Diodes Incorporated DMN5L06KQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 250μA
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 50mA, 5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3A
漏极-源极导通最大电阻
3Ohm
DS 击穿电压-最小值
50V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN5L06KQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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