Diodes Incorporated DMN6013LFG-13
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DMN6013LFG-13
671-DMN6013LFG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
1最小包装量--
DMN6013LFG-13详情
Diodes Incorporated DMN6013LFG-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PowerDI3333-8
质量
72.007789mg
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.3A Ta 45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
27.6 ns
已出版
2014
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电容量
2.577nF
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
6.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2577pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55.4nC @ 10V
上升时间
9.9ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11.7 ns
连续放电电流(ID)
45A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
2.577nF
漏源电阻
12.3mOhm
最大rds
13 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN6013LFG-13拓展信息
Diodes Incorporated
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