Diodes Incorporated DMN90H8D5HCTI

工厂交货时间

17 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

表面安装

NO

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7 Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

470pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5A

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3A

DS 击穿电压-最小值

900V

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant