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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.49197
10
¥4.237707
100
¥3.997837
500
¥3.771541
1000
¥3.55806
Diodes Incorporated DMP2010UFV-7
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- 对比
DMP2010UFV-7
671-DMP2010UFV-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2010UFV-7详情
Diodes Incorporated DMP2010UFV-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
103nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50A
漏极-源极导通最大电阻
0.0125Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2010UFV-7拓展信息
Diodes Incorporated
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