Diodes Incorporated DMP2035UVTQ-7
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DMP2035UVTQ-7
671-DMP2035UVTQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
1最小包装量--
DMP2035UVTQ-7详情
Diodes Incorporated DMP2035UVTQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
15 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 4A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.1nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2035UVTQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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