Diodes Incorporated DMP3025LK3-13
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DMP3025LK3-13
671-DMP3025LK3-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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DIODES INC. DMP3025LK3-13 MOSFET Transistor, P Channel, 16.1 A, -30 V, 25 mohm, -10 V, -1 V
--最小包装量--
DMP3025LK3-13详情
Diodes Incorporated DMP3025LK3-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.15W Ta
Turn Off Delay Time
44 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
10W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 7.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1678pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31.6nC @ 10V
上升时间
4.9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
16.1A
阈值电压
-1V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.025Ohm
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP3025LK3-13拓展信息
Diodes Incorporated
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