Diodes Incorporated DMP3026SFDE-13

工厂交货时间

17 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.4A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 4.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1204pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19.6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant