Diodes Incorporated DMP3065LVT-13
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DMP3065LVT-13
671-DMP3065LVT-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC
1最小包装量--
DMP3065LVT-13详情
Diodes Incorporated DMP3065LVT-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.1A Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 250μA
Turn Off Delay Time
21.8 ns
Power Dissipation (Max)
1.2W Ta
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
5.7 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 4.9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
880pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
11.8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
23.9 ns
连续放电电流(ID)
5.1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP3065LVT-13拓展信息
Diodes Incorporated
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