Diodes Incorporated DMP3099LQ-7
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DMP3099LQ-7
671-DMP3099LQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans Mosfet P-ch -30V -3.8A 3-PIN SOT-23 T/r
--最小包装量--
DMP3099LQ-7详情
Diodes Incorporated DMP3099LQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
23 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.08W
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
65m Ω @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
563pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.8A
漏极-源极导通最大电阻
99Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
11A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
10.2 mJ
关断时间-最大值(toff)
46ns
接通时间-最大值(ton)
9.8ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP3099LQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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