Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3

工厂交货时间

17 Weeks

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3, IPak, Short Leads

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

104W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.9 Ω @ 1.05A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

547pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.7nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

450V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.6A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22.4A

DS 击穿电压-最小值

450V

雪崩能量等级（Eas）

187 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant