Diodes Incorporated DMP57D5UFB-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

425mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

8Ohm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

425mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

29pF @ 4V

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

-50V

高度

470μm

长度

1mm

宽度

600μm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅