Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7B
- 收藏
- 对比
DMP58D0LFB-7B
671-DMP58D0LFB-7B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-UFDFN
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
--最小包装量--
DMP58D0LFB-7B详情
Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UFDFN
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180mA Ta
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
470mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 100mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
27pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
50V
连续放电电流(ID)
180mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.18A
漏极-源极导通最大电阻
8Ohm
DS 击穿电压-最小值
50V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP58D0LFB-7B拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。