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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.441864
10
¥7.020625
100
¥6.623231
500
¥6.248333
1000
¥5.894654
Diodes Incorporated DMP6050SPS-13
- 收藏
- 对比
DMP6050SPS-13
671-DMP6050SPS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP6050SPS-13详情
Diodes Incorporated DMP6050SPS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2018
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.163nF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.7A
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
45A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
32 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP6050SPS-13拓展信息
Diodes Incorporated
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