Diodes Incorporated DMT10H009LFG-7
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DMT10H009LFG-7
671-DMT10H009LFG-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET 61V~100V POWERDI3333-8
1最小包装量--
DMT10H009LFG-7详情
Diodes Incorporated DMT10H009LFG-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta 50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta 30W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2361pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMT10H009LFG-7拓展信息
Diodes Incorporated
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