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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.126979
10
¥11.440547
100
¥10.792966
500
¥10.182048
1000
¥9.605704
Diodes Incorporated DMT10H009LH3
- 收藏
- 对比
DMT10H009LH3
671-DMT10H009LH3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Stub Leads, IPak
大陆
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MOSFET BVDSS: 61V-100V TO251
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMT10H009LH3详情
Diodes Incorporated DMT10H009LH3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
84A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
96W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2309pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMT10H009LH3拓展信息
Diodes Incorporated
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