Diodes Incorporated DMT6009LFG-13
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DMT6009LFG-13
671-DMT6009LFG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
1最小包装量--
DMT6009LFG-13详情
Diodes Incorporated DMT6009LFG-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta 34A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.08W Ta 19.2W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 13.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1925pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±16V
连续放电电流(ID)
34A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMT6009LFG-13拓展信息
Diodes Incorporated
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