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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.79791
10
¥3.582937
100
¥3.380128
500
¥3.188797
1000
¥3.008301
Diodes Incorporated DMT8012LFG-13
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- 对比
DMT8012LFG-13
671-DMT8012LFG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMT8012LFG-13详情
Diodes Incorporated DMT8012LFG-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
质量
72.007789mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.5A Ta 35A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
2.2W Ta 30W Tc
Turn Off Delay Time
16.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电容量
1.949nF
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
4.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1949pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 10V
上升时间
3.8ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.5 ns
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMT8012LFG-13拓展信息
Diodes Incorporated
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