Diodes Incorporated DNLS350Y-13

工厂交货时间

19 Weeks

包装/外壳

TO-243AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

370mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DNLS350

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

370mV @ 300mA, 3A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

2.5mm

长度

4.5mm

高度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅