Diodes Incorporated DPLS350Y-13

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-390mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

DPLS350

JESD-30代码

R-PSSO-F3

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

390mV @ 300mA, 3A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.48mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅