Diodes Incorporated DSS8110Y-7

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

625mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 100mA, 1A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant