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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 DVR1V8W-7
DVR1V8W-7
DVR1V8W-7

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated DVR1V8W-7

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型号

DVR1V8W-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-DVR1V8W-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 18V 1A 6-Pin SOT-363 T/R

起订量

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DVR1V8W-7
DVR1V8W-7 Diodes Incorporated Trans GP BJT NPN 18V 1A 6-Pin SOT-363 T/R

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DVR1V8W-7详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated DVR1V8W-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 质量

    6.010099mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    18V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    150

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    18V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    1A

  • 频率

    100MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200mW

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    18V

  • 最大集电极电流

    1A

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    18V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    45V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 最小直流增益（hFE）

    150

  • 高度

    1mm

  • 长度

    2.2mm

  • 宽度

    1.35mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

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AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MMBT3904T-7-F

型号：MMBT3904T-7-F

封装：SOT-523

品牌：Diodes Incorporated

库存：58321

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型号：BC846B-7-F

封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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型号：BC846BW-7-F

封装：SC-70, SOT-323

品牌：Diodes Incorporated

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