Diodes Incorporated DXT13003DK-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

3.9W

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.6W

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

16 @ 500mA 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 250mA, 1A

转换频率

4MHz

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant