Diodes Incorporated DXTC3C100PD-13

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件包装

PowerDI5060-8 (Type UXD)

厂商

Diodes Incorporated

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

1.47 W

Transistor Polarity

NPN, PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

Collector-Emitter Saturation Voltage

225 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

130 MHz

Maximum DC Collector Current

3 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

切割胶带

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

1.47W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN, PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

330mV @ 300mA, 3A, 325mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

频率转换

130MHz, 100MHz

集电极基极电压(VCBO)

100 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT