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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.564007
10
¥6.19246
100
¥5.841945
500
¥5.511266
1000
¥5.199308
Diodes Incorporated DXTN3C100PD-13
- 收藏
- 对比
DXTN3C100PD-13
671-DXTN3C100PD-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DXTN3C100PD-13详情
Diodes Incorporated DXTN3C100PD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
PowerDI5060-8 (Type UXD)
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
Transistors
功率 - 最大
1.47W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
2 NPN (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
330mV @ 300mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
频率转换
130MHz
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
DXTN3C100PD-13拓展信息
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