Diodes Incorporated DXTP3C100PD-13
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DXTP3C100PD-13
671-DXTP3C100PD-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-PowerTDFN
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PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
1最小包装量--
DXTP3C100PD-13详情
Diodes Incorporated DXTP3C100PD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
PowerDI5060-8 (Type UXD)
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
Transistors
功率 - 最大
1.76W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
2 PNP (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
170 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
325mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
频率转换
100MHz
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
DXTP3C100PD-13拓展信息
Diodes Incorporated
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