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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.273814
10
¥7.805489
100
¥7.363665
500
¥6.946856
1000
¥6.553635
Diodes Incorporated DXTP560BP5-13
- 收藏
- 对比
DXTP560BP5-13
671-DXTP560BP5-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
PowerDI™ 5
大陆
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TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DXTP560BP5-13详情
Diodes Incorporated DXTP560BP5-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerDI™ 5
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
500V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-200mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
2.8W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DXTP560
引脚数量
3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2.8W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
60MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 50mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 10mA, 50mA
转换频率
60MHz
最大击穿电压
500V
集电极基极电压(VCBO)
-500V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
连续集电极电流
-150mA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DXTP560BP5-13拓展信息
Diodes Incorporated
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