Diodes Incorporated G 1012

工厂交货时间

14 Weeks

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

DMG1012T-7

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

1.6

Samacsys Description

MOSFET N-Channel 20V 0.63A SOT523 Diodes Inc DMG1012T-7 N-channel MOSFET Transistor, 0.63 A, 20 V, 3-Pin SOT-523

Drain Current-Max (ID)

0.63 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.63 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.28 W