Diodes Incorporated MMBTA64-7-F

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

10000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBTA64

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

300mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

转换频率

125MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅