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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MMBTH10Q-7-F
MMBTH10Q-7-F
MMBTH10Q-7-F

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Diodes Incorporated MMBTH10Q-7-F

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型号

MMBTH10Q-7-F

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-MMBTH10Q-7-F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF TRANSISTOR SOT23

起订量

--最小包装量--

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MMBTH10Q-7-F
MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated RF TRANSISTOR SOT23

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MMBTH10Q-7-F详情

技术参数

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Diodes Incorporated MMBTH10Q-7-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    50mA

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    310mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    60 @ 4mA 10V

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    25V

  • 频率转换

    650MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Diodes Incorporated MMBTH10Q-7-F.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MMBTH10-7-F

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封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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