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技术文档
型号
MMBZ18VALQ-7-F
品牌
Diodes Incorporated
utmel 编号
671-MMBZ18VALQ-7-F
商品类别
集成电路(IC)
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC TRANSISTOR ARRAY SMD
起订量
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MMBZ18VALQ-7-F详情
技术参数
Diodes Incorporated MMBZ18VALQ-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
19 Weeks
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Package Description
R-PDSO-G3
Risk Rank
5.58
Breakdown Voltage-Nom
18 V
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
0.225 W
Reflow Temperature-Max (s)
40
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Product Status
Obsolete
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
14.5 V
最大非代表峰值转速功率Dis
40 W
击穿电压-最小值
17.1 V
最大箝位电压
25 V
击穿电压-最大值
18.9 V
MMBZ18VALQ-7-F拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:AP119-89
封装:--
品牌:Diodes Incorporated
库存:0
型号:DMN2005LPK-7B
型号:DMN21D2UFB-7
封装:X1-DFN1006-3
型号:DDTB114EC-7
型号:DDTC123EUA
型号:DDTC114EUAQ-7-F
封装:SC-70, SOT-323
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