Diodes Incorporated MMDT2227-7

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

100

Number of Elements

2

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

已出版

2005

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

MMDT2227

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V 60V

转换频率

300MHz

最大击穿电压

60V

频率转换

300MHz 200MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

600mA

接通时间-最大值(ton)

35ns

宽度

1.35mm

长度

2.2mm

高度

1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅