Diodes Incorporated MMDT4401-7
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MMDT4401-7
671-MMDT4401-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Bipolar Transistors - BJT 40V 200mW
1最小包装量--
MMDT4401-7详情
Diodes Incorporated MMDT4401-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Number of Elements
2
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
600mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
MMDT4401
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
250MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
750mV
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 500mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
600mA
关断时间-最大值(toff)
255ns
接通时间-最大值(ton)
35ns
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MMDT4401-7拓展信息
Diodes Incorporated
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