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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.847477
10
¥1.742902
100
¥1.644248
500
¥1.551174
1000
¥1.463376
Diodes Incorporated MMST4124-7-F
- 收藏
- 对比
MMST4124-7-F
671-MMST4124-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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TRANS NPN 25V 0.2A SC70-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMST4124-7-F详情
Diodes Incorporated MMST4124-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMST4124
引脚数量
3
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 2mA 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
25V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
200mA
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMST4124-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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