ON Semiconductor FJX3904TF
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FJX3904TF
1807-FJX3904TF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
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FJX3904 Series 40 V 200 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-323
--最小包装量--
FJX3904TF详情
ON Semiconductor FJX3904TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
200mA
频率
300MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FJX3904
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
350mW
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
关断时间-最大值(toff)
250ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FJX3904TF拓展信息
ON Semiconductor
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