Diodes Incorporated ZDT619TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Gull Wing

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

2.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZDT619

引脚数量

8

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

165MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 50mA, 2A

转换频率

165MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

2A

高度

1.6mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅