Diodes Incorporated ZDT651TA
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ZDT651TA
671-ZDT651TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SMD, Gull Wing
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TRANS 2NPN 60V 2A SM8
1最小包装量--
ZDT651TA详情
Diodes Incorporated ZDT651TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Gull Wing
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
2.75W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZDT651
引脚数量
8
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
175MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
转换频率
240MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
2A
RoHS状态
符合RoHS标准
ZDT651TA拓展信息
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