Diodes Incorporated ZDT749TC
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ZDT749TC
671-ZDT749TC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SMD, Gull Wing
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TRANS 2PNP 25V 2A SM8
1最小包装量--
ZDT749TC详情
Diodes Incorporated ZDT749TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Gull Wing
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-230mV
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-25V
最大功率耗散
2.75W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZDT749
引脚数量
8
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
160MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
转换频率
160MHz
集电极基极电压(VCBO)
-35V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-2A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZDT749TC拓展信息
Diodes Incorporated
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