Diodes Incorporated ZHB6792TC
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ZHB6792TC
671-ZHB6792TC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SMD, Gull Wing
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Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-70V
1最小包装量--
ZHB6792TC详情
Diodes Incorporated ZHB6792TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Gull Wing
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最大功率耗散
1.25W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZHB6792
引脚数量
8
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
晶体管类型
2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
集电极发射器电压(VCEO)
750mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 2A
转换频率
150MHz
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
70V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
1A
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ZHB6792TC拓展信息
Diodes Incorporated
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