Diodes Incorporated ZVN0540A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

400V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

90mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50 Ω @ 100mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 25V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

90mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.09A

漏源击穿电压

400V

反馈上限-最大值 (Crss)

4 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅