Diodes Incorporated ZVN1409ASTOB

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Turn Off Delay Time

350 ps

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 100μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

90V

终端形式

WIRE

额定电流

10mA

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250 Ω @ 5mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6.5pF @ 25V

上升时间

500ps

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

500 ps

连续放电电流(ID)

10mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.01A

漏源击穿电压

90V

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅