Diodes Incorporated ZVN2106ASTOA

包装/外壳

E-Line-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

450mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

Number of Elements

1

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

60V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

450mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75pF @ 18V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

450mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.45A

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

漏源击穿电压

60V

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

unknown

无铅

无铅