Diodes Incorporated ZVN4525E6TC

包装/外壳

SOT-23-6

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

质量

14.996898mg

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.8V @ 1mA

Turn Off Delay Time

11.4 ns

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

230mA Ta

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

250V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

230mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

接通延迟时间

1.25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

72pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.65nC @ 10V

上升时间

1.7ns

Vgs（最大值）

±40V

下降时间（典型值）

1.7 ns

连续放电电流(ID)

230mA

栅极至源极电压(Vgs)

40V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.23A

漏源击穿电压

250V

宽度

1.8mm

长度

3.1mm

高度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅