Diodes Incorporated ZVN4525GTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

310mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

11.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

250V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

310mA

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

1.25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

72pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.65nC @ 10V

上升时间

1.7ns

Vgs（最大值）

±40V

下降时间（典型值）

3.5 ns

连续放电电流(ID)

310mA

栅极至源极电压(Vgs)

40V

漏源击穿电压

250V

高度

1.65mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅